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渡邊 健太


プロフィール
学部研究テーマ 次世代デバイスの駆動技術・実装技術の開発
修士論文題目 スイッチング素子のゲート電位変動モデルの高精度化に関する研究
就職先 日立製作所

研究業績
国際会議
  • K. Watanabe, J. Itoh: "Investigation of the Circuit Parameters Design in a Power Converter by using High-Frequency Power Devices", IEEE 9th PEDS, No. 381 (2011)
  • 国内学会
  • 渡邊健太, 折川幸司, 伊東淳一: 「高速スイッチング素子の実装法に関する一考察」, 北陸支部連合大会, No. A-72, (2009)
  • 渡邊健太, 伊東淳一: 「GaN-FET用駆動回路のパラメータ選定に関する一考察」, 北陸支部連合大会, No. A-70 (2010)
  • 渡邊健太, 宮脇慧, 伊東淳一: 「高周波パワーデバイスを電力変換回路に用いた場合の回路パラメータ設計に関する基礎検討」, SPC北海道, SPC-10-144, EDD-10-087 (2010)
  • 渡邊健太, 伊東淳一: 「高周波パワーデバイスを用いた電力変換回路のゲート電位変動に関する基礎検討」, 産業応用部門大会, No. 1-153 (2011)
  • 渡邊健太, 伊東淳一: 「高周波パワーデバイスを用いた電力変換回路のゲート電位変動に関する解析と抑制法」, SPC島根, SPC-11-156 (2011)
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